RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
13.6
Скорость записи, Гб/сек
6.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2701
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Lenovo 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link