Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Средняя оценка

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 42

Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 37
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 16.0
Скорость записи, Гб/сек

7.8 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2150 2808

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB

Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

модули RAM

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM