RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
71
Около -129% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3614
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link