RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
52
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
52
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2472
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link