RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
26
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2585
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link