RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.4
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
3113
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link