RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2852
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link