RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.7
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3119
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link