Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 27

Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 6.0

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 27
Скорость чтения, Гб/сек

16.1 11.7
Скорость записи, Гб/сек

10.1 6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2764 1901

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Kingston 9905701-017.A00G 16GB

Kingston 9905701-017.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM