RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
43
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
41
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2813
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link