RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
45
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
45
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3233
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link