RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3933
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link