RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
58
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3178
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link