RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2417
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link