RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
77
Около -221% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2703
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
INTENSO 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Inmos + 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link