RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3683
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link