Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 33

Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.6 17.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

19.4 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 24
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 21.6
Скорость записи, Гб/сек

12.0 19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 4250

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB

модули RAM