RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3786
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link