RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
23
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3051
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link