RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
21.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
19.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
4044
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link