Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Причины выбрать
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 39

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.3 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 36
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 19.3
Скорость записи, Гб/сек

7.2 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1749 3458

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

Kingston 9905702-135.A00G 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston 9965684-005.A00G 8GB

Kingston 9965684-005.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

модули RAM