RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
52
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
20
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
3540
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link