RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2575
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link