RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
74
Около -37% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
54
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
2938
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link