Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 15.2

Среднее значение в тестах

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 69

Около -176% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.4 1,441.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 25
Скорость чтения, Гб/сек

3,325.1 15.2
Скорость записи, Гб/сек

1,441.2 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

525 2346

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston 9905625-066.A00G 16GB

Kingston 9905625-066.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

модули RAM