Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB против Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 48

Около 35% меньшая задержка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

8.9 6.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

5.9 3.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

10600 8500

Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

31 48
Скорость чтения, Гб/сек

6.6 8.9
Скорость записи, Гб/сек

3.6 5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 10600

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

921 1420

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM