Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 41

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.8 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 38
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 13.8
Скорость записи, Гб/сек

9.0 9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2016 2073

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9905701-098.A00G 16GB

Kingston 9905701-098.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB

модули RAM