RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2330
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link