RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
36
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
36
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.7
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2358
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link