SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 14.3

Среднее значение в тестах

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 77

Около -221% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.9 1,884.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 24
Скорость чтения, Гб/сек

2,936.9 14.3
Скорость записи, Гб/сек

1,884.0 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

564 2191

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston KKRVFX-MIE 8GB

Kingston KKRVFX-MIE 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905702-400.A00G 8GB

Kingston 9905702-400.A00G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Kingston KHX2666C16/8G 8GB

Kingston KHX2666C16/8G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

модули RAM