RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
48
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
11.1
Скорость записи, Гб/сек
7.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1955
2319
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link