SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 38

Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.1 6.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 29
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 16.0
Скорость записи, Гб/сек

6.6 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1406 2635

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB

Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB

модули RAM

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

модули RAM