SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 38

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.3 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.8 6.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 19
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 19.3
Скорость записи, Гб/сек

6.6 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1406 3169

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Super Talent F24UB16GV 16GB

Super Talent F24UB16GV 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Panram International Corporation M424051 4GB

Panram International Corporation M424051 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB

модули RAM