RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
3317
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link