RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB против Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2186
2660
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link