SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

2,978.2 14.6

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 66

Около -267% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.3 2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 18
Скорость чтения, Гб/сек

2,929.1 20.3
Скорость записи, Гб/сек

2,978.2 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

511 3431

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 9905665-011.A00G 4GB

Kingston 9905665-011.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM