SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 14.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,076.1 11.8

Среднее значение в тестах

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 59

Около -127% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,723.5 14.6
Скорость записи, Гб/сек

2,076.1 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

741 3124

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

модули RAM

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB

Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

модули RAM

Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB

Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

модули RAM

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB

модули RAM