RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
68
Около -224% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.1
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
3380
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link