RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
63
Около -232% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
19
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3359
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link