RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    63 left arrow 122
    Около 48% меньшая задержка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    9.4 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    5.8 left arrow 1,447.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    63 left arrow 122
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,231.0 left arrow 9.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,447.3 left arrow 5.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    478 left arrow 1411

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM

Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
модули RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
модули RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
модули RAM