STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 21.6

Среднее значение в тестах

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 63

Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи

18.2 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 21.6
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 3890

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

Kingston 9905700-026.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB

Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

модули RAM