RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2583
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link