RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
56
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
56
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2455
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link