RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
64
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
64
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2103
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link