RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
50
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2471
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link