RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
96
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3371
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link