RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
96
Около -284% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.3
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3731
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link