Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

-->

Средняя оценка

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17.4

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 96

Около -284% меньшая задержка
Выше скорость записи

18.3 1,336.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

96 25
Скорость чтения, Гб/сек

2,725.2 17.4
Скорость записи, Гб/сек

1,336.0 18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

438 3731

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Kingston HP698650-154-MCN 4GB

Kingston HP698650-154-MCN 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Kingston K9CXF2-MIE 8GB

Kingston K9CXF2-MIE 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

модули RAM

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

модули RAM