RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
96
Около -269% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
23.1
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
4276
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link