Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Средняя оценка

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Сообщить об ошибке

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 44

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.1 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 22
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 18.1
Скорость записи, Гб/сек

7.5 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1853 3172

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

модули RAM

Kingston 99U5471-040.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-040.A00LF 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB

Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB

Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB

модули RAM