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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
67
左右 -205% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
22
读取速度,GB/s
6.8
18.3
写入速度,GB/s
3.6
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3122
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB RAM的比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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